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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N5551A-BP
2N5551A-BP PDF预览

2N5551A-BP

更新时间： 2024-01-05 06:31:04
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 208K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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2N5551A-BP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.99最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

2N5551A-BP 数据手册

 浏览型号2N5551A-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N5551A-BP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2N5551  
Micro Commercial Components  
Features  
•
This device is designed for general purpose high voltage amplifiers  
NPN General  
Purpose Amplifier  
Transistor  
and gas discharge display drivers.  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
ꢀ
Marking:Type number  
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
TO-92  
A
E
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
160  
Unit  
V
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
180  
V
B
C
6.0  
600  
625  
V
mA  
mW  
OC  
OC  
PC  
TJ  
TSTG  
Collector Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
O
-55 to +150  
-55 to +150  
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Voltage*  
(Ic=1.0mAdc, I B=0)  
Collector-Base Voltage  
(I C=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Voltage  
(I E=10uAdc, IC=0)  
160  
180  
6.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
D
Collector Cutoff Current  
(V CB=35Vdc,I =0)  
---  
---  
---  
50  
50  
50  
nAdc  
uAdc  
nAdc  
E
(V CB=120Vdc, IE=0, T =100OC)  
A
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(V EB=5.0Vdc, I =0)  
C
E
B
ON CHARACTERISTICS  
C
G
hFE  
DC Current gain  
(I C=1.0mAdc, VCE=5.0Vdc)  
(I C=10mAdc, VCE=5.0Vdc)  
(I C=50mAdc, VCE=5.0Vdc)  
80  
80  
30  
---  
250  
---  
---  
---  
---  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
---  
0.5  
Vdc  
DIM  
A
B
C
D
E
G
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MAX  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
(I =50mAdc, IB=5.0mAdc)  
C
Base- Emitter Voltage  
---  
1.0  
Vdc  
(I =5.0mAdc, IC=50mAdc)  
B
* Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2.0%  
w w w.m c c s e m i.c o m  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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