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2N5551C

更新时间: 2024-09-12 23:16:11
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KEC 晶体晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 165K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)

2N5551C 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-92
包装说明:TO-92, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.32
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:160 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.625 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

2N5551C 数据手册

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