2N5109

更新时间： 2024-11-08 22:35:51

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波放大器
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描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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2N5109 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1200 MHz
Base Number Matches：	1

2N5109 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

2N5109

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transistor

1.2 GHz Current-Gain Bandwidth Product @ 50mA

Maximum Unilateral Gain = 12dB (typ) @ 200 MHz

1. Emitter

2. Base

3. Collector

TO-39

DESCRIPTION:

Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. Applications include amplifier; pre-driver, driver, and

output stages. Also suitable for oscillator and frequency-multiplier functions.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

3.0

400

Thermal Data

2.5

Watts

mW/ ºC

Total Device Dissipation @ T = 75ºC (1)

Derate above 25ºC

Note 1. Total Device dissipation at T = 25ºC is 1 Watt.

MSC1304.PDF 10-25-99

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