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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.07 | 配置： | SINGLE |
| 最大漏源导通电阻： | 150 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 7 pF | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5115_TO-18 | MICROSS | P-CHANNEL JFET |
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| 2N5115JAN | VISHAY | P-Channel JFETs |
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| 2N5115JANTX | VISHAY | P-Channel JFETs |
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| 2N5115JANTXV | VISHAY | P-Channel JFETs |
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| 2N5115UB | MICROSEMI | Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, SU |
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| 2N5116 | MICROSEMI | P-CHANNEL J-FET |
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