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2N5014

更新时间： 2024-01-15 23:01:52

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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2N5014 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	900 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5014 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/727

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector to Base Cutoff Current

Symbol

Min.

Max.

Unit

V_CB= 400V

V_CB= 500V

2N5010

2N5011

2N5012

2N5013

2N5014

2N5015

nAdc

_CB= 580V

V_CB= 650V

_CB= 700V

I_CBO1

V_CB= 760V

@ T_A= +150°C

V_CB= 400V

2N5010

2N5011

2N5012

2N5013

2N5014

2N5015

uAdc

_CB= 500V

V_CB= 588V

_CB= 650V

V_CB= 700V

_CB= 760V

I_CBO2

Emitter to Base Cutoff Current

V_EB= 4V

uAdc

I_EBO

Collector to Base Breakdown Voltage

I_C= 0.1mAdc

I_C= 0.2mAdc

2N5010

2N5011

2N5012

2N5013

2N5014

2N5015

500

600

700

800

900

1000

Vdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_(BR)CER

Emitter to Base Breakdown Voltage

I_C= 0mA

I_E= 0.05mA

Vdc

Collector to Emitter Breakdown Voltage

2N5010

2N5011

2N5012

2N5013

2N5014

2N5015

500

600

700

800

900

1000

Vdc

R_BE= 1KΩ

I_C= 0.2mA, Pulsed

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 25mA

I_C= 20mA

2N5010, 2N5011, 2N5012

2N5013, 2N5014, 2N5015

180

h_FE1

V_CE= 10V

I_C= 5mA

h_FE2

V_CE= 10V

I_C= 20mA

@ T_A= -55°C

h_FE3

T4-LDS-0067 Rev. 1 (082021)

Page 2 of 3

123

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