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2N4239

更新时间： 2024-02-26 04:32:53

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描述
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

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2N4239 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

2N4239 数据手册

SILICON PLANAR EPITAXIAL

NPN TRANSISTOR

2N4239

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise stated)

Symbols

Parameters

Test Conditions

Min. Typ

Max. Units

(1)

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

= 10mA

= 100V

I = 0

(BR)CEO

= -1.5V

100

µA

= 70V

= -1.5V

Collector Cut-Off Current

CEX

= 150°C

= 100V

= 6V

I = 0

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

100

0.5

CBO

I = 0

EBO

= 100mA

= 250mA

= 1.0V

150

(1)

Forward-current transfer

ratio

= -55°C

= 1.0V

= 500mA

= 1.0A

I = 50mA

0.3

0.6

1.0

1.5

(1)

Collector-Emitter Saturation

Voltage

CE(sat)

I = 0.1A

= 500mA

= 1.0A

I = 50mA

(1)

Base-Emitter Saturation

Voltage

BE(sat)

I = 0.1A

DYNAMIC CHARACTERISTICS

= 100mA

= 10V

Small signal forward-current

transfer ratio

| h

3.0

f = 10MHz

= 10V

I = 0

f = 1.0MHz

Output Capacitance

100

obo

Notes

(1) Pulse Width ≤ 300us, δ ≤ 2%

Semelab Limited

Telephone +44 (0) 1455 556565

Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB

Document Number 8369

Issue 1

Fax +44 (0) 1455 552612

Email: sales@semelab-tt.com

Website: http://www.semelab-tt.com

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