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2N4238

更新时间： 2024-02-27 07:33:35

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SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

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2N4238 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.19
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz
Base Number Matches：	1

2N4238 数据手册

SILICON PLANAR EPITAXIAL

NPN TRANSISTOR

2N4238

•

=80V(Min), V

CBO

=60V(Min)

CEO

•

Hermetic TO-39 Metal package.

Ideally suited for General Purpose and

Amplifier Applications

•

Screening Options Available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

Continuous Collector Current

Base Current

80V

CBO

CEO

EBO

60V

1.0A

0.5A

T = 25°C

Total Power Dissipation at

1.0W

Derate Above 25°C

5.7mW/°C

T = 25°C

Total Power Dissipation at

Derate Above 25°C

34mW/°C

-65 to +200°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

stg

THERMAL PROPERTIES

Symbols

Parameters

Min.

Typ. Max. Units

Thermal Resistance, Junction To Ambient

Thermal Resistance, Junction To Case

175

°C/W

θJA

θJC

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Document Number 8368

Issue 1

Website: http://www.semelab-tt.com

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