是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.75 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-205AD | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 1 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N4239X | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 |
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2N424 | NJSEMI | MISCELLANEOUS SI NPN POWER BJT |
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2N4240 | SEME-LAB | NPN TRANSISTOR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE |
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2N4240 | MICROSEMI | 5 Amp, 500V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors |
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2N4240 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(35W) |
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2N4240 | BOCA | COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS |
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