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2N4239

更新时间： 2024-02-14 15:31:35

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
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2页	57K
描述
NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

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2N4239 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

2N4239 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 581

Devices

Qualified Level

2N4237

2N4238

2N4239

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25⁰C Unless Otherwise noted)

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol 2N4237 2N4238 2N4239 Units

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

6.0

1.0

0.5

Base Current

Total Power Dissipation @ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

I_B

1.0

6.0

P_T

TO-39*

Operating & Storage Temperature Range

-65 to +200

°C

T_op_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

qJC

1) Derate linearly 5.7 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 34 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

I_C= 100 mAdc

2N4237

2N4238

2N4239

100

Vdc

V_(BR)CEO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 6.0 Vdc

0.5

mAdc

I_EBO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 90 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 50 Vdc

V_CE= 80 Vdc

V_CE= 10 Vdc

2N4237

2N4238

2N4239

nAdc

I_CEX

100

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

V_CE= 80 Vdc

2N4237

2N4238

2N4239

100

nAdc

I_CBO

V_CE= 10 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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