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2N4239

更新时间： 2024-01-12 23:41:49

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描述
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

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2N4239 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

2N4239 数据手册

SILICON PLANAR EPITAXIAL

NPN TRANSISTOR

2N4239

•

=100V(Min), V

CBO

=80V(Min)

CEO

•

Hermetic TO-39 Metal package.

Ideally suited for General Purpose and

Amplifier Applications

•

Screening Options Available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

Continuous Collector Current

Base Current

100V

CBO

CEO

EBO

80V

1.0A

0.5A

T = 25°C

Total Power Dissipation at

1.0W

Derate Above 25°C

5.7mW/°C

T = 25°C

Total Power Dissipation at

Derate Above 25°C

34mW/°C

-65 to +200°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

stg

THERMAL PROPERTIES

Symbols

Parameters

Min.

Typ. Max. Units

Thermal Resistance, Junction To Ambient

Thermal Resistance, Junction To Case

175

°C/W

θJA

θJC

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Document Number 8369

Issue 1

Website: http://www.semelab-tt.com

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