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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N4123RLRMG
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2N4123RLRMG

更新时间： 2024-11-23 13:02:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 84K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2N4123RLRMG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.07最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

2N4123RLRMG 数据手册

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[[]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]  
2N4123  
TO-92  
C
B
E
NPN General Purpose Amplifier  
This device is designed for use as general purpose amplifiers  
and switches requiring collector currents to 100 mA.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
30  
40  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
5.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
200  
mA  
°C  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N4123  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
Rθ  
°C/W  
JA  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
2N4123, Rev A  
1234567

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