2N4123RLRMG

更新时间： 2024-01-01 22:17:06

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	84K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N4123RLRMG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.7	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2N4123RLRMG 数据手册

NPN General Purpose Amplifier

(continued)

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage* I_C= 1.0 mA, I_B= 0

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_EB= 3.0 V, I_C= 0

5.0

I_EBO

Emitter Cutoff Current

ON CHARACTERISTICS*

h_FE

DC Current Gain

V_CE= 1.0 V, I_C= 2.0 mA

150

_CE= 1.0 V, I_C= 50 mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 50 mA, I_B= 5.0 mA

0.3

V_CE

(sat)

I_C= 50 mA, I_B= 5.0 mA

0.95

V_BE(sat)

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

Output Capacitance

V_CB= 5.0 V, f = 100 kHz

V_EB= 0.5 V, f = 0.1 MHz

4.0

8.0

C_ob

C_ib

h_fe

Input Capacitance

Small-Signal Current Gain

I_C= 2.0 mA, V_CE= 10 V,

f = 1.0 kHz

200

I_C= 10 mA, V_CE= 20 V,

f = 100 MHz

2.5

Current Gain - Bandwidth Product

Noise Figure

I_C= 10 mA, V_CE= 20 V

f = 100 MHz

V_CE= 5.0 V, I_C= 100 µA,

R_S= 1.0 kΩ,

250

MHz

f_T

6.0

B_W= 10 Hz to 15.7 kHz

*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%

123 4 5 6 7

下载PDF

与2N4123RLRMG相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N4123STOA	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S	获取价格
2N4123STZ	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S	获取价格
2N4123TF	ONSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N4123TFR	ONSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N4123TRA	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N4123TRB	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格