2N4123RLRMG

更新时间： 2024-01-31 20:42:40

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	84K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2N4123RLRMG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.7	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2N4123RLRMG 数据手册

NPN General Purpose Amplifier

(continued)

Typical Characteristics (continued)

Noise Figure vs Frequency

Noise Figure vs Source Resistance

= 1.0 mA

V _CE= 5.0V

= 1.0 mA

= 200Ω

= 50 µA

= 1.0 kΩ

= 5.0 mA

= 50 µA

= 0.5 mA

= 200Ω

= 100 µA

= 100 µA, R = 500 Ω

0.1

100

0.1

100

f - FREQUENCY (kHz)

- SOURCE RESISTANCE (

)

kΩ

Power Dissipation vs

Ambient Temperature

Current Gain and Phase Angle

vs Frequency

0.75

0.5

h _fe

SOT-223

100

120

TO-92

SOT-23

140

160

180

V_CE= 40V

0.25

I _C= 10 mA

100

1000

100

125

150

f - FREQUENCY (MHz)

TEMPERATURE (^oC)

Turn-On Time vs Collector Current

Rise Time vs Collector Current

500

100

I_B1= I_B2

V_CC= 40V

I_B1= I_B2=

40V

15V

100

= 25°C

@ V_CC= 3.0V

= 125°C

2.0V

@ V_CB= 0V

- COLLECTOR CURRENT (mA)

100

- COLLECTOR CURRENT (mA)

100

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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