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2N4124

更新时间： 2024-01-28 16:44:52

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关
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5页	212K
描述
Small Signal Transistors (NPN)

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2N4124 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.68	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2N4124 数据手册

2N4124

Small Signal Transistors (NPN)

TO-92

FEATURES

.142 (3.6)

.181 (4.6)

NPN Silicon Epitaxial Transistor

for switching and amplifier applications.

♦

Especially suitable for AF-driver and

low-power output stages.

As complementary type, the PNP

transistor 2N4126 is recommended.

.022 (0.55)

.098 (2.5)

max

MECHANICAL DATA

Case: TO-92 Plastic Package

Weight: approx. 0.18 g

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at

ambient temperature unless otherwise specified

25 °C

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CEO

CBO

EBO

200

°C

Peak Collector Current

Base Current

800

Power Dissipation at T

= 25 °C

625¹⁾

150

amb

tot

Junction Temperature

Storage Temperature Range

–65 to +150

¹⁾Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case.

4/98

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