Datasheet > 2N4124

2N4124

更新时间： 2024-01-24 20:11:39

品牌	Logo	应用领域
SECOS		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
1页	79K
描述
NPN Plastic Encapsulated Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N4124 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.68	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2N4124 数据手册

2N4124

0.2 A, 30 V

NPN Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

FEATURES

TO-92



High DC Current Gain

High Transition Frequency

 Emitter

 Base

 Collector

Collector

Millimeter

REF.

Min.

4.40

4.30

12.70

3.30

0.36

Max.

4.70

3.81

0.56

0.51





Base

1.27 TYP.

1.10

2.42

0.36



Emitter

2.66

0.76

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector to Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

0.2

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction, Storage Temperature

P_C

350

°C / W

°C

R_θJA

T_J, T_STG

357

150, -55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Min Typ Max Unit

Test Condition

Collector to Base Breakdown Voltage

Collector to Emitter Breakdown Voltage

Emitter to Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C= 0.01mA, I_E= 0A

I_C=1mA, I_B= 0A

I_E= 0.01mA, I_C= 0A

V_CB= 20V, I_E= 0 A

V_EB= 3V, I_C= 0 mA

V_CE= 1V, I_C= 2 mA

V_CE= 1V, I_C=50mA

360

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

h_{FE (1)}

120

DC Current Gain

h_{FE (2)}

Collector to Emitter Saturation Voltage

Base to Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.3

I_C=50mA, I_B=5mA

0.95

I_C=50mA, I_B=5mA

Collector output Capacitance

Transition Frequency

C_ob

f_T

V_CB= 5V, I_E= 0A, f=1MHz

300

MHz V_CE= 20V, I_C= 10mA, f=100MHz

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

29-Dec-2010 Rev. A

Page 1 of 1

中文翻译

下载PDF

与2N4124相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4124/D11Z	TI	获取价格	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4124/D26Z	TI	获取价格	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4124/D26Z-J18Z	TI	获取价格	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N4124/D26Z-J61Z	TI	获取价格	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N4124/D27Z	TI	获取价格	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4124/D27Z-J05Z	TI	获取价格	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N4124/D28Z	TI	获取价格	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4124/D74Z	TI	获取价格	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4124/D74Z-J05Z	TI	获取价格	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N4124/D74Z-J18Z	TI	获取价格	200mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与2N4124相关文章

L7805CV手册解读：引脚说明、替代型号推荐、好坏检测
2024-06-06

2
MMBT5551资料手册解读：电气参数、替换型号推荐
2024-06-06

1
APW7073资料手册解读：产品特性、引脚说明、替换型号推荐
2024-06-06

0
晶闸管阳极与阴极之间加电压时控制极的电流流动分析
2024-06-05

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N4124

2N4124 技术参数

2N4124 数据手册

与2N4124相关器件

与2N4124相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N4124

2N4124 技术参数

2N4124 数据手册

与2N4124相关器件

与2N4124相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？