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2N3906D26Z

更新时间： 2024-11-29 14:39:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 879K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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2N3906D26Z 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.03Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

2N3906D26Z 数据手册

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2N3906  
MMBT3906  
PZT3906  
C
C
E
E
C
TO-92  
C
B
B
B
E
SOT-223  
SOT-23  
Mark: 2A  
PNP General Purpose Amplifier  
This device is designed for general purpose amplifier and switching  
applications at collector currents of 10 µA to 100 mA.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
40  
40  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
5.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
200  
mA  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N3906  
*MMBT3906  
**PZT3906  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
350  
2.8  
1,000  
8.0  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
125  
°C/W  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
**Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
2N3906/MMBT3906/PZT3906, Rev A  
1234567...16

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与2N3906D26Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3906D27Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N3906-D27ZS00Z FAIRCHILD

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 		Transistor
2N3906-D28Z FAIRCHILD

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2N3906D74Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2N3906D75Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
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 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LLCC
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 		TO-92

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