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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N3906-G
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2N3906-G

更新时间： 2024-11-27 03:56:11
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 晶体晶体管
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3页 85K
描述
General Purpose transistor

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2N3906-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

2N3906-G 数据手册

 浏览型号2N3906-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N3906-G的Datasheet PDF文件第3页 
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与2N3906-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3906G-BP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N3906G-G ONSEMI

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 		Transistor
2N3906G-G COMCHIP

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 		暂无描述
2N3906G-T92-B UTC

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 		GENERAL PURPOSE APPLIATION
2N3906G-T92-K UTC

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2N3906G-T92-R UTC

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2N3906-J05Z TI

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 		200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N3906-J35Z TI

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 		200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N3906K DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S
2N3906L34Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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