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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N3906-G
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2N3906-G

更新时间： 2024-02-01 02:31:22
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上华 - COMCHIP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 85K
描述
General Purpose transistor

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2N3906-G 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.58Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

2N3906-G 数据手册

 浏览型号2N3906-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N3906-G的Datasheet PDF文件第3页 
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N3906G-BP MCC Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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2N3906G-G ONSEMI Transistor

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2N3906G-G COMCHIP 暂无描述

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2N3906G-T92-B UTC GENERAL PURPOSE APPLIATION

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2N3906G-T92-K UTC GENERAL PURPOSE APPLIATION

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