2N3906RLRA

更新时间： 2024-01-16 00:13:55

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管放大器
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8页	102K
描述
General Purpose Transistors

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2N3906RLRA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N3906RLRA 数据手册

2N3906

Preferred Device

General Purpose

Transistors

PNP Silicon

http://onsemi.com

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

BASE

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

Vdc

EMITTER

5.0

Vdc

Collector Current – Continuous

200

mAdc

STYLE 1

Total Device Dissipation

@ T = 25°C

625

5.0

mW/°C

Derate above 25°C

TO–92

CASE 29

STYLE 1

Total Power Dissipation

250

@ T = 60°C

Total Device Dissipation

@ T = 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Derate above 25°C

MARKING DIAGRAMS

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to

+150

°C

3906

YWW

THERMAL CHARACTERISTICS (Note 1.)

Characteristic Symbol

Thermal Resistance,

Max

Unit

200

°C/W

θJA

Junction to Ambient

= Year

= Work Week

Thermal Resistance,

Junction to Case

83.3

°C/W

θJC

1. Indicates Data in addition to JEDEC Requirements.

ORDERING INFORMATION

Device

2N3906

Package

TO–92

Shipping

5000 Units/Box

2N3906RLRA

2N3906RLRE

2N3906RLRM

2N3906RLRP

2N3906RL1

2000/Tape & Reel

2000/Ammo Pack

2000/Tape & Reel

2000/Ammo Pack

2N3906ZL1

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

November, 2001 – Rev. 0

2N3906/D

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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