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2N3906G

更新时间: 2024-11-27 03:56:11
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安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 158K
描述
General Purpose Transistors PNP Silicon

2N3906G 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:End Of Life
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.61Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:636373
Samacsys Pin Count:3Samacsys Part Category:Transistor BJT PNP
Samacsys Package Category:OtherSamacsys Footprint Name:2N3906G-1
Samacsys Released Date:2019-06-04 11:03:50Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz最大关闭时间(toff):300 ns
最大开启时间(吨):70 nsBase Number Matches:1

2N3906G 数据手册

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2N3906  
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR  
40 Volts  
625 mWatts  
VOLTAGE  
POWER  
FEATURES  
• PNP epitaxial silicon, planar design  
• Collector-emitter voltage VCE = 40V  
• Collector current IC = -200mA  
• Pb free product are available :99% Sn above can meet RoHS  
environment substance directive request  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-92  
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Approx Weight : 0.02grams  
Marking : S2A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCEO  
VALUE  
-40  
UNIT  
V
Collector - Emitter Voltage  
Collector - Base Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Collector Current - Continuous  
Max Power Dissipation  
Storage Temperature  
VCBO  
VEBO  
I C  
-40  
-5.0  
V
V
-200  
mA  
mW  
OC  
OC  
PTOT  
TSTG  
TJ  
625  
-55 to 150  
-55 to 150  
Junction Temperature  
THERMALCHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RθJA  
VALUE  
200  
UNITS  
OC / W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
REV.0-DEC.12.2005  
PAGE . 1  

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暂无描述
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