2N3904TFR

更新时间： 2024-11-02 11:01:35

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安森美 - ONSEMI		开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	343K
描述
200 mA, 40 V NPN General Purpose Bipolar Junction Transistor

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2N3904TFR 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.52
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	最大关闭时间（toff）：	250 ns
最大开启时间（吨）：	70 ns	Base Number Matches：	1

2N3904TFR 数据手册

2N3903

TO-92

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed for use as general purpose amplifiers

and switches requiring collector currents to 100 mA.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

6.0

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

200

°C

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N3903

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

625

5.0

83.3

mW/°C

°C/W

R_θ

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

R_θ

°C/W

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

2N3903, Rev A

12 3 4 5 6 7...11

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2N3904TFR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N3904BU	ONSEMI	类似代替	200 mA, 40 V NPN General Purpose Bipolar Junction Transistor
2N3904RLRPG	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors NPN Silicon
2N3904RLRA	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors(NPN Silicon)

与2N3904TFR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3904TRA	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N3904TRB	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N3904TRC	CENTRAL	获取价格	暂无描述
2N3904TRD	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N3904TRE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N3904TRELEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N3904TRG	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N3904TRH	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N3904U	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
2N3904U	SWST	获取价格	小信号晶体管

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