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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.53 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 250 ns | 最大开启时间（吨）： | 70 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N3904TA | ONSEMI |
完全替代  |
200 mA, 40 V NPN General Purpose Bipolar Junction Transistor |
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| 2N3904RLRPG | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Transistors NPN Silicon |
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| 2N3904RLRA | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3904C | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
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| 2N3904C_00 | KEC |
获取价格 |
Laser Marking |
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| 2N3904CBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N3904CHBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2N3904CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR |
|
| 2N3904CTA | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N3904D | ZETEX |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2N3904D75Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N3904DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL DUAL NPN TRANSISTORS |
|
| 2N3904DWP | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.014 X 0.019 INCH |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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