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2N3904E

更新时间: 2024-11-09 03:56:11
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KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

2N3904E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.57最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz最大关闭时间(toff):250 ns
最大开启时间(吨):70 nsBase Number Matches:1

2N3904E 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
2N3904E  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
SWITCHING APPLICATION.  
E
B
MILLIMETERS  
_
DIM  
A
FEATURES  
+
1.60 0.10  
D
_
+
0.85 0.10  
Low Leakage Current  
2
1
B
_
+
0.70 0.10  
C
D
E
: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.)  
@VCE=30V, VEB=3V.  
3
0.27+0.10/-0.05  
_
+
1.60 0.10  
_
+
1.00 0.10  
G
H
Excellent DC Current Gain Linearity.  
Low Saturation Voltage  
0.50  
_
0.13+0.05  
J
: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA.  
Low Collector Output Capacitance  
: Cob=4pF(Max.) @VCB=5V.  
Complementary to 2N3906E.  
J
1. EMITTER  
2. BASE  
3. COLLECTOR  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
ESM  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
60  
40  
V
6
V
200  
mA  
mA  
mW  
IB  
Base Current  
50  
Marking  
PC *  
Tj  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
100  
Type Name  
150  
Tstg  
Z C  
-55 150  
2003. 12. 12  
Revision No : 0  
1/4  

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