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2N3904U

更新时间： 2023-12-06 20:10:31

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先科 - SWST		晶体管
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5页	776K
描述
小信号晶体管

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2N3904U 数据手册

2N3904U

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• For switching and amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

200

Power Dissipation

P_tot

500

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 03/04/2023 Rev:04

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