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2N3904A

更新时间： 2024-11-07 07:28:31

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5页	660K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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2N3904A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
最大关闭时间（toff）：	250 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N3904A 数据手册

SEMICONDUCTOR

2N3904A

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

Low Leakage Current

DIM MILLIMETERS

: I_CEX=50nA(Max.), I_BL=50nA(Max.)

@V_CE=30V, V_EB=3V.

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

Low Saturation Voltage

1.00

: V_CE(sat)=0.3V(Max.) @I_C=50mA, I_B=5mA.

Low Collector Output Capacitance

: C_ob=4pF(Max.) @V_CB=5V.

Complementary to 2N3906A.

1.27

0.85

0.45

14.00 +0.50

0.55 MAX

2.30

0.45 MAX

1.00

1. EMITTER

2. BASE

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

)

3. COLLECTOR

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

TO-92

200

I_B

Base Current

625

1.5

Ta=25

Tc=25

Collector Power

Dissipation

P_C

T_j

Junction Temperature

150

-55 150

T_stg

Storage Temperature Range

2002. 2. 1

Revision No : 0

1/5

12 3 4 5

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