Datasheet > 2N3904_J25Z

2N3904_J25Z

更新时间： 2024-11-07 20:02:11

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
7页	103K
描述
Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N3904_J25Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2N3904_J25Z 数据手册

2N3904

MMBT3904

PZT3904

TO-92

SOT-23

Mark: 1A

SOT-223

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed as a general purpose amplifier and switch.

The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to

100 MHz as an amplifier.

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

6.0

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

200

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N3904

*MMBT3904

**PZT3904

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

625

5.0

83.3

350

2.8

1,000

8.0

mW/°C

°C/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

357

125

°C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

**Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm².

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

2N3904/MMBT3904/PZT3904, Rev A

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

2N3904_J25Z 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N3904BU	FAIRCHILD	功能相似	NPN General Purpose Amplifier

与2N3904_J25Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3904-18F	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
2N3904-18FLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
2N3904-18R	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
2N3904-18RLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
2N3904-5T1	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5T1,
2N3904A	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
2N3904-A	MCC	获取价格	暂无描述
2N3904-A	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N3904-AMMO	NXP	获取价格	TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
2N3904AMO	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-92

与2N3904_J25Z相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

16
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

13
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

34

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N3904_J25Z

2N3904_J25Z 技术参数

2N3904_J25Z 数据手册

2N3904_J25Z 替代型号

与2N3904_J25Z相关器件

与2N3904_J25Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N3904_J25Z

2N3904_J25Z 技术参数

2N3904_J25Z 数据手册

2N3904_J25Z 替代型号

与2N3904_J25Z相关器件

与2N3904_J25Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？