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2N3719

更新时间: 2024-02-27 15:39:39
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NJSEMI 晶体晶体管
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1页 153K
描述
POWER TRANSISTORS PNP SILICON

2N3719 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.61外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-5JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
最大关闭时间(toff):400 ns最大开启时间(吨):100 ns

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