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2N3553

更新时间： 2025-08-19 12:50:03

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ASI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	25K
描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR

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2N3553 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	10 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	500 MHz

2N3553 数据手册

2N3553

NPN SILICON RF TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI 2N3553 is Designed for

Amplifier, Oscillator and Driver

Applications Covering VHF-UHF

Frequency.

PACKAGE STYLE TO- 39

MAXIMUM RATINGS

1.0 A

I_C

V_CE

P_DISS

T_J

40 V

7.0 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

25 ^OC/W

T_STG

θ_JC

1 = EMITTER

2 = BASE

3 = COLLECTOR

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

V_CE= 65 V

V_CE= 30 V

V_EB= 4.0 V

V_CE= 5.0 V

I_C= 250 mA

V_BE= -1.5 V

1.0

5.0

I_CEX

T_C= 200 ^OC

I_CEO

I_EBO

100

µA

---

h_FE

I_C= 250 mA

I_B= 50 mA

V_CE(SAT)

1.0

C_ob

f_t

V_CB= 30 V

V_CE= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 100 MHz

I_C= 100 mA

P_out= 2.5 W

500

MHz

250

P_in

G_P

η_C

V_CE= 28 V

f = 175 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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