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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.77 | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V | 最大维持电流： | 5 mA |
| 最大漏电流： | 0.1 mA | 通态非重复峰值电流： | 18 A |
| 最大通态电流： | 1600 A | 最高工作温度： | 155 °C |
| 最低工作温度： | -60 °C | 断态重复峰值电压： | 100 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3562 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 200V TO 299.9V |
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| 2N3562 | TI |
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2N3562 |
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| 2N3562 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| 2N3563 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-106 |
|
| 2N3564 | NJSEMI |
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NPN SILICON TRASISTOR |
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| 2N3564 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-106, BIP General Purpose Small Sig |
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| 2N3565 | NJSEMI |
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SI NPN LO-PWR BJT |
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| 2N3565 | FAIRCHILD |
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NPN General Purpose Amplifier |
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| 2N3566 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-105, BIP General Purpose Small Si |
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| 2N3567 | NJSEMI |
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NPN SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS |
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