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2N3562

更新时间： 2024-02-29 12:41:19

品牌	Logo	应用领域
SSDI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
1页	49K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN

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2N3562 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
最大漏电流：	0.1 mA	通态非重复峰值电流：	18 A
最大通态电流：	1600 A	最高工作温度：	155 °C
最低工作温度：	-60 °C	断态重复峰值电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2N3562 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N3564	ONSEMI	TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-106, BIP General Purpose Small Sig	获取价格
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2N3566	ONSEMI	TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-105, BIP General Purpose Small Si	获取价格

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