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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3560 | TI |
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暂无描述 |
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| 2N3560 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2.2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element |
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| 2N3561 | TI |
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2N3561 |
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| 2N3561 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| 2N3562 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 200V TO 299.9V |
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| 2N3562 | TI |
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2N3562 |
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| 2N3562 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| 2N3563 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-106 |
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| 2N3564 | NJSEMI |
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NPN SILICON TRASISTOR |
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| 2N3564 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-106, BIP General Purpose Small Sig |
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