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2N3507A

更新时间： 2024-01-23 12:13:00

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SEMICOA		晶体晶体管
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2页	86K
描述
Silicon NPN Transistor

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2N3507A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	90 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

2N3507A 数据手册

2N3507A

Silicon NPN Transistor

Data Sheet

Description

Applications

• General purpose switching transistor

• Low power

• NPN silicon transistor

SEMICOA offers:

• Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E

• JAN level (2N3507AJ)

• JANTX level (2N3507AJX)

• JANTXV level (2N3507AJV)

• JANS level (2N3507AJS)

• QCI to the applicable level

• 100% die visual inspection per MIL-STD-750 method

2072 for JANTXV and JANS

Features

• Radiation testing (total dose) upon request

• Hermetically sealed TO-39 metal can

• Also available in chip configuration

• Chip geometry 1506

• Reference document:

MIL-PRF-19500/349

Benefits

• Qualification Levels: JAN, JANTX,

Please contact SEMICOA for special configurations

JANTXV and JANS

www.SEMICOA.com or (714) 979-1900

• Radiation testing available

T_C= 25°C unless otherwise specified

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Volts

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Volts

V_EBO

I_C

Collector Current, Continuous

Power Dissipation, T_A= 25^OC

Derate linearly above 25^OC

Power Dissipation, T_C= 25^OC

Derate linearly above 25^OC

5.71

28.6

mW/°C

°C/W

P_T

Thermal Resistance

175

R_θJA

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_STG

°C

-65 to +200

SEMICOA

Rev. E

333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541

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