是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.86 | 集电极-发射极最大电压: | 150 V |
配置: | SINGLE | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | NPN | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 150 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N3512 | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS | |
2N351A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 | |
2N3525 | GE |
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5-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS | |
2N3525 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 | |
2N3528 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 | |
2N3529 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 | |
2N3535 | SEME-LAB |
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Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. | |
2N3536 | SEME-LAB |
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Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. | |
2N3537 | SEME-LAB |
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Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package | |
2N3537 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 700V TO 799.9V |