2N3507AL

更新时间： 2024-01-02 04:21:01

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	92K
描述
NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N3507AL 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	90 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

2N3507AL 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/349

DEVICES

LEVELS

JAN

2N3506

2N3507

JANTX

JANTXV

2N3506A

2N3506L

2N3506AL

2N3507A

2N3507L

2N3507AL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N3506 2N3507

Unit

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

5.0

3.0

@ T_A= 25°C ⁽¹⁾

@ T_C= 25°C ⁽²⁾

1.0

5.0

Total Power Dissipation

P_T

Operating & Storage Temperature Range

Note:

T_op, T_stg

-65 to +200

°C

TO-5 (L-Versions)

1) Derate linearly 5.71 mW/°C for T_A> +25°C

2) Derate linearly 55.5 mW/°C for T_C> +25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10mAdc

V_(BR)CEO

Vdc

2N3506

2N3507

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 40Vdc

V_CE= 60Vdc

I_CEX

µAdc

2N3506

2N3507

1.0

TO-39 (TO-205-AD)

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 100µAdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

Vdc

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 10µAdc

ON CHARACTERISTICS ⁽³⁾

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 500mAdc, V_CE= 1Vdc

2N3506

2N3507

250

175

h_FE

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 1.5Adc, V_CE= 2Vdc

2N3506

2N3507

200

150

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 2.5Adc, V_CE= 3Vdc

2N3506

2N3507

T4-LDS-0016 Rev. 1 (072040)

Page 1 of 2

下载PDF

与2N3507AL相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3507ALE3	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor	获取价格
2N3507AU4E3	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP	获取价格
2N3507L	SEMICOA	Type 2N3507L Geometry 1506 Polarity NPN	获取价格
2N3507L	MICROSEMI	NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N3507L_07	SEMICOA	Silicon NPN Transistor	获取价格
2N3508	MOTOROLA	Transistor	获取价格