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2N3507L

更新时间： 2024-02-24 03:52:11

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SEMICOA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	48K
描述
Type 2N3507L Geometry 1506 Polarity NPN

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2N3507L 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	90 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

2N3507L 数据手册

Data Sheet No. 2N3507L

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N3507L

Type 2N3507L

Geometry 1506

Polarity NPN

Qual Level: JAN - JANTXV

REF: MIL-PRF-19500/349

Features:

General-purpose silicon transistor

for switching and amplifier appli-

cations.

Housed in TO-5 case.

Also available in chip form using

the 1506 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/349 which

Semicoa meets in all cases.

TO-5

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Power Dissipation, T_A= 25^oC

5.0

3.0

1.0

P_T

Derate above 25^oC

mW/^oC

^oC

5.71

T_J

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +200

^oC

T_STG

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