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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3509 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3509 | NJSEMI |
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SI NPN LP HF BJT MANUFACTURER |
|
| 2N3509CSM | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| 2N3509DCSM | SEME-LAB |
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Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed |
|
| 2N3509LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PI |
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| 2N350A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
|
| 2N351 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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| 2N3510 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3511 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
|
| 2N3512 | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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