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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N351A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N3525 | GE |
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5-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N3525 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3528 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3529 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3535 | SEME-LAB |
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Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. |
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| 2N3536 | SEME-LAB |
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Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. |
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| 2N3537 | SEME-LAB |
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Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3537 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 700V TO 799.9V |
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| 2N3543 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
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