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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3097M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 El |
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| 2N3098 | NJSEMI |
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20 STERN ave. |
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| 2N3098 | INFINEON |
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110 AMP RMS SCRS |
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| 2N3098M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 El |
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| 2N-30F | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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| 2N-30M | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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| 2N3107 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3107 | NJSEMI |
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SI NPN LO-PWR BJT MANUFACTURER |
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| 2N3107 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N3107 | MICRO-ELECTRONICS |
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NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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