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2N3055G

更新时间: 2024-01-03 02:03:40
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 93K
描述
Complementary Silicon Power Transistors

2N3055G 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.59外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2.5 MHzBase Number Matches:1

2N3055G 数据手册

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2N3055 MJ2955  
Package mechanical data  
TO-3 mechanical data  
mm.  
typ  
DIM.  
min.  
11.00  
0.97  
max.  
13.10  
1.15  
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
1.50  
1.65  
8.32  
8.92  
19.00  
10.70  
16.50  
25.00  
4.00  
20.00  
11.10  
17.20  
26.00  
4.09  
38.50  
30.00  
39.30  
30.30  
0015923C  
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