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2N3057

更新时间： 2024-11-14 22:45:03

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描述
Chip Type 2C3019 Geometry 4500 Polarity PNP

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2N3057 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2N3057 数据手册

Data Sheet No. 2C3019

Ge ne ric Pa c ka ge d Pa rts :

2N3019, 2N3057

Chip Type 2C3019

Geometry 4500

Polarity PNP

Chip type 2C3019 by Semicoa Semi-

conductors provides performance

similar to these devices.

Product Summary:

APPLICATIONS: Designed for general

purpose switching and amplifier applica-

tions.

Part Numbers:

2N3019, 2N3019S, 2N3019UB, 2N3057, 2N3057A,

2N3700, 2N3700UB, SD3019F, SQ3019, SQ3019F

Features: Radiation graphs available

Mechanical Specifications

Top

Al - 12 kÅ min.

Au - 6.5 kÅ nom.

2.3 mils x 7.0 mils

5.0 mils x 11.0 mils

Metallization

Backside

Emitter

Base

Bonding Pad Size

8 mils nominal

Die Thickness

Chip Area

30 mils x 30 mils

Silox Passivated

Top Surface

Electrical Characteristics

T_A= 25^oC

Parameter

BV_CBO

Test conditions

Min

140

7.0

Max

---

Unit

V dc

I_C= 100 µA, I_E= 0

I_E= 100 µA, I_C= 0

V_CB= 40 V, I_E= 0

BV_EBO

I_CBO

---

h_FE

I_C= 150 mA dc, V_CE= 10 V

100

300

---

Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less

than 300 µs, duty cycle less than 2%.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3057A	SEMICOA	获取价格	Type 2N3057A Geometry 4500 Polarity NPN
2N3057A	MICROSEMI	获取价格	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
2N3057A_02	SEMICOA	获取价格	Silicon NPN Transistor
2N3057AE3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AB,
2N3058	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 6V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92
2N3059	ASI	获取价格	Transistor
2N306	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 2MA I(C) \| TO-22
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