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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N307 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N3070 | MOTOROLA |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18, |
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| 2N3071 | NSC |
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TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,100NA I(DSS),TO-18 |
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| 2N3072 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3072 | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N3072LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N3073 | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N3073 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3073LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| 2N307A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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