2N3055G

更新时间： 2024-02-13 08:42:29

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管
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描述
Complementary Silicon Power Transistors

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2N3055G 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz	Base Number Matches：	1

2N3055G 数据手册

2N3055 MJ2955

Electrical characteristics

= 25°C; unless otherwise specified)

case

Table 3.

Symbol

Electrical characteristics

Parameter

Test conditions

= 100 V

Min.

Typ.

Max.

Unit

Collector cut-off current

CEX

(V = -1.5 V)

= 100 V

= 30 V

T = 150 C

Collector cut-off current

0.7

CEO

EBO

(I = 0)

Emitter cut-off current

= 7 V

(I = 0)

Collector-emitter sustaining

(1)

I = 200 mA

CEO(sus)

voltage (I = 0)

Collector-emitter sustaining

I = 200 mA

CER(sus)

voltage (R = 100 Ω)

I = 4 A

I = 400 mA

Collector-emitter saturation

voltage

(1)

CE(sat)

I = 10 A

I = 3.3 A

(1)

I = 4 A

= 4 V

Base-emitter voltage

DC current gain

1.8

I = 4 A

= 4 V

(1)

I = 10 A

1. Pulsed : Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤1.5%

Note: For PNP type voltage and current values are negative

3/7

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