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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N3055HG
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2N3055HG

更新时间： 2024-10-15 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
晶体管硅功率 NPN

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2N3055HG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-3包装说明：CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：115 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2.5 MHzBase Number Matches：1

2N3055HG 数据手册

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2N3055, MJ2955  
Preferred Device  
Complementary Silicon  
Power Transistors  
. . . designed for general−purpose switching and amplifier  
applications.  
• DC Current Gain − h = 20−70 @ I = 4 Adc  
FE  
C
http://onsemi.com  
• Collector−Emitter Saturation Voltage −  
= 1.1 Vdc (Max) @ I = 4 Adc  
V
CE(sat)  
C
15 A  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY SILICON  
60 V  
• Excellent Safe Operating Area  
• Pb−Free Package is Available  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
Base Current  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
115 W  
V
CEO  
CER  
V
70  
MARKING  
DIAGRAM  
V
CB  
100  
7
V
EB  
I
C
15  
xxxx55  
TO−204AA (TO−3)  
CASE 1−07  
A
I
B
7
YYWW  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
115  
0.657  
W
W/°C  
C
Operating and Storage Junction Tempera-  
ture Range  
T , T  
–65 to +200  
°C  
xxxx55 = Device Code  
J
stg  
xxxx= 2N3055 or MJ2955  
= Assembly Location  
= Year  
A
YY  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
WW = Work Week  
Symbol  
Max  
Unit  
x
= 1, 2, or 3  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
1.52  
°C/W  
q
JC  
ORDERING INFORMATION  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
†
Device  
2N3055  
Package  
Shipping  
TO−204AA  
100 Units / Tray  
1 Units / Tubes  
2N3055G  
TO−204AA  
(Pb−Free)  
160  
140  
120  
2N3055H  
MJ2955  
TO−204AA  
TO−204AA  
100 Units / Tray  
100 Units / Tray  
100  
80  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
60  
40  
20  
*For additional information on our Pb−Free strategy  
and soldering details, please download the  
ON Semiconductor Soldering and Mounting  
Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
200  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
T , CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
April, 2004 − Rev. 4  
2N3055/D  
 
1234

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2N3055HG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N3055G ONSEMI

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