5秒后页面跳转
2N3002 PDF预览

2N3002

更新时间: 2024-11-07 20:16:23
品牌 Logo 应用领域
SSDI /
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 250mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN

2N3002 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.67
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.02 mA
最大直流栅极触发电压:0.7 V最大维持电流:3 mA
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
最大漏电流:0.1 mA通态非重复峰值电流:6 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:250 A最高工作温度:155 °C
最低工作温度:-60 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
最大均方根通态电流:0.35 A断态重复峰值电压:60 V
重复峰值反向电压:60 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

2N3002 数据手册

  

与2N3002相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3002LEADFREE CENTRAL

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 60V V(RRM), 1 Element, TO-18
2N3003 BOCA

获取价格

SCRs (Silicon Controlled Rectifiers)
2N3003 CENTRAL

获取价格

0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts
2N3003 SSDI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 250mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme
2N3003 NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 15V 3-Pin TO-18 Box
2N3003LEADFREE CENTRAL

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-18,
2N3004 BOCA

获取价格

SCRs (Silicon Controlled Rectifiers)
2N3004 CENTRAL

获取价格

0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts
2N3004 NJSEMI

获取价格

P-N-P-N PLANAR SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTOR
2N3004 SSDI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 250mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme