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2N3007

更新时间： 2024-09-17 12:50:03

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描述
Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO18

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2N3007 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2N3007 数据手册

2N3007

Dimensions in mm (inches).

Bipolar NPNP Device in a

Hermetically sealed TO18

Metal Package.

5.84 (0.230)

5.31 (0.209)

4.95 (0.195)

4.52 (0.178)

Bipolar NPNP Device.

V_CEO= 100V

0.48 (0.019)

0.41 (0.016)

dia.

I_C= 0.35A

2.54 (0.100)

Nom.

All Semelab hermetically sealed products

can be processed in accordance with the

requirements of BS, CECC and JAN,

JANTX, JANTXV and JANS specifications

TO18 (TO206AA)

PINOUTS

1 – Emitter

2 – Base

3 – Collector

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

100

Units

V_CEO*

I_C(CONT)

h_FE

0.35

@ (V_CE/ I_C)

f_t

P_D

* Maximum Working Voltage

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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与2N3007相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3007LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-18
2N3008	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO18
2N3008	BOCA	获取价格	SCRs (Silicon Controlled Rectifiers)
2N3008	CENTRAL	获取价格	0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts
2N3008	NJSEMI	获取价格	SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTOR
2N3008	TI	获取价格	0.35A, 200V, SCR, TO-18
2N3008	SSDI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 250mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme
2N3008LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 200V V(RRM), 1 Element, TO-18
2N3009	CENTRAL	获取价格	NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS
2N3009	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 15V 3-Pin TO-18 Box