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2N3009

更新时间: 2024-11-17 22:12:19
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CENTRAL 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 83K
描述
NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS

2N3009 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.46最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:5 pF集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.36 W最大功率耗散 (Abs):1.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):350 MHz
最大关闭时间(toff):25 ns最大开启时间(吨):15 ns
VCEsat-Max:0.5 V

2N3009 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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