5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V |
| 最大维持电流： | 5 mA | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 最大漏电流： | 0.1 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 6 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 250 A |
| 最高工作温度： | 155 °C | 最低工作温度： | -60 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 最大均方根通态电流： | 0.35 A |
| 断态重复峰值电压： | 60 V | 重复峰值反向电压： | 60 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3006LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 60V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
|
| 2N3007 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 250mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme |
|
| 2N3007 | BOCA |
获取价格 |
SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
|
| 2N3007 | CENTRAL |
获取价格 |
0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
|
| 2N3007 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO18 |
|
| 2N3007 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT 100V 0.35A 3-Pin TO-18 |
|
| 2N3007LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
|
| 2N3008 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO18 |
|
| 2N3008 | BOCA |
获取价格 |
SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
|
| 2N3008 | CENTRAL |
获取价格 |
0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
