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2N2221

更新时间: 2024-02-10 12:21:31
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CENTRAL 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 526K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

2N2221 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.65最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:MO-041BB
JESD-30 代码:R-CDSO-N6元件数量:2
端子数量:6封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

2N2221 数据手册

 浏览型号2N2221的Datasheet PDF文件第1页 
2N2221  
2N2222  
NPN SILICON TRANSISTOR  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
2N2221  
2N2222  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
20  
MAX  
-
MIN  
35  
MAX  
-
h
h
h
h
h
h
h
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =0.1mA  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
=10V, I =1.0mA  
25  
35  
15  
40  
20  
25  
-
50  
-
C
=10V, I =10mA  
-
75  
-
C
=10V, I =10mA, T =-55°C  
-
35  
-
C
A
=10V, I =150mA  
120  
100  
50  
300  
C
=1.0V, I =150mA  
-
-
-
-
C
=10V, I =500mA  
40  
C
TO-18 CASE - MECHANICAL OUTLINE  
LEAD CODE:  
1) Emitter  
2) Base  
3) Collector  
MARKING: FULL PART NUMBER  
R1 (30-January 2012)  
www.centralsemi.com  

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