是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.4 | 集电极-发射极最大电压: | 20 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 15 |
JEDEC-95代码: | TO-18 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 40 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N1993 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-5 | |
2N1997 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,PNP,15V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Sign | |
2N1998 | ETC |
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alloy-junction germanium transistors | |
2N1999 | ETC |
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alloy-junction germanium transistors | |
2N19B8 | NJSEMI |
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Small Signal Transistors | |
2N1I66 | NJSEMI |
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germanium power transistors | |
2N-1M | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE | |
2N1S35 | NJSEMI |
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GERMANIUM POWER TRANSISTORS | |
2N1S3I | NJSEMI |
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GERMANIUM POWER TRANSISTORS | |
2N1S66 | NJSEMI |
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Quality Semi-Conductors |