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2N1997

更新时间: 2024-02-18 03:10:36
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
12页 1225K
描述
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,PNP,15V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Signal

2N1997 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-5
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:100 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.25 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

2N1997 数据手册

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