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2N1849

更新时间: 2024-11-30 20:03:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),10A I(T),TO-208AA

2N1849 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
关态电压最小值的临界上升速率:30 V/us最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:200 mA
最大漏电流:1 mA通态非重复峰值电流:125 A
最大通态电流:10000 A最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-40 °C断态重复峰值电压:400 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N1849 数据手册

  

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